Samsung lança as primeiras memórias DDR3 a 30nm

Alyen
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O gigante tecnológico Samsung, acaba de anunciar a primeira memória RAM DDR3 feita com tecnológica de 30nm. O módulo de 2GB foi comprovado de maneira exitosa para o uso doméstico, este permite poupar significativamente o consumo de energia, além de incrementar notavelmente a produtividade com esta tecnologia.

A posta de produção em massa destas memórias se dará a partir da segunda metade do ano 2010, isto ajudará a incrementar a produtividade num 60% comparado sobre as memórias DDR3 RAM a 40nm, além de oferecer uma poupança do 30% de energia consumida sobre os módulos feitos a 50nm do mesmo tipo.

Este tipo de memórias será usado no futuro em todos os âmbitos computacionais ordinários, tanto em servidores, computadores de escrivaninha e portáteis, inclusive em celulares. Tudo isto suporá uma inovação tecnológica por parte da companhia.

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